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| 30KVのUSBフラッシュドライブ・デモンストレーション |
フラッシュドライブ・メモリモジュールやミニMP3プレーヤーでのESD保護は、主にシステムアーキテクチャ全体とオンチップのサージ保護に重点が置かれます。これらの製品は、蓄積された潜在的なESD損傷にたいして、かなり脆弱が面があるためハイエンドドライブやMP3プレーヤーなどの高付加価値製品にとっては大きな懸案事項になっています。フィールド故障は、そのブランド品質にマイナスイメージをもたらすだけでなく、製品の返品や交換、また、故障原因の分析や確認のための時間やリソースなどコスト負担がかかります。
EN 61000-4-2と IEC 1000-4-2に挙げられるている気中放電あるいは接触放電の方法を使用すると、USBフラッシュメモリドライブの多くは、LED（主な故障箇所）やシーム（次なる故障箇所）に放電モードを合わせた場合、12KVから16.5KVの間で故障を起こすことがわかっています。各放電モードのスタンバイ状態でも、製品の読み書き、動作に問題ないことが合格の条件です。 |
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| 接地（アース）した銅板上にあるUSBフラッシュドライブの気中放電（左）、接触放電（右） |
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デモ： |
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a) |
USBフラッシュドライブの保護範囲は大幅に増加 |
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b) |
VSD™ 材料のシンプルな製造と実装 |
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256MBから4GBまでの製品ラインをサポートするため、ドライブ設計を調整し、また、実証評価に向けてVSD™ ポリマー・ナノコンポジット材料による改良を行いました。この特定のアプリケーションに対して、この製品ラインでは400ボルトのクランプ電圧を供給するように材料そのものを調整しています。
前述した基準を元にドライブテストを行っており、LEDやシームに放電モードを適用後、スタンバイ状態でも読み書き、動作に問題がないことがわかっています。（テストは両極下で行っています） |
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USBフラッシュドライブでの30KV気中放電モードは、XStatic™-100を使用して改良しました。XStatic™-100は、Voltage Switchable Dielectric™ 材料のひとつであり、回路基板の各部品でのESD発生に対して100%の全域保護ができるように再設計されています。 |
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非標準テストによる限界確認 |
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フラッシュドライブモジュールの障害を再現するため、ケーシングを取り外し、オープンドライブはEN61000-4-2基準に準拠する両極において、30KVでの気中・接触放電が繰り返されるように設定しました。改良ドライブは問題なく機能していますが、静電気試験機（ESDガン）の数が限られているため、現在この製品がどれくらいの高い電圧まで耐えられるのか確認が取れていません。改良ドライブの多くはテスト済みであり、障害は一度も確認されていません。また、このテストは、少なくとも30KVの5倍はある当社のデモドライブで行われており、全ファイルの保存・アクセスが可能で問題なく機能しています。 |
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左画像は、VSD™ ポリマー・ナノコンポジット材料を含む保護なしUSBフラッシュ・メモリドライブの回路基板上に、30KV気中放電を直接放射しているビデオです。火花は、電圧が接地（アース）された銅板に放電されると、静電気試験機（ESDガン）から実装基板をぬけて、USBコネクタシールドに抜けているのが確認できます。
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