VSD™ 재료의 독특한 특성과 성공은 나노 기술과 폴리머(고분자) 화학의 결합으로 이루어 집니다.
Voltage Switchable Dielectric™ （VSD™）재료
VSD™(전압 변환성 절연물질)은 고분자 나노 복합물로써 정상적인 회로 작동시 절연체로 역활을 하지만 VSD™물질내 흐르는 전압이 정해진 문턱전압 이상으로 증가하면 전도성을 가지게 됩니다. 하지만 전압이 문턱 전압한계 이하로 감소하면 VSD™물체는 다시 절연체로 바뀝니다. 전압이 정상적인 수준의 문턱전압 이하로 떨어지면, 다시 절연체가 됩니다. 전압 한계점을 변경하는 능력을 가진 이 독특한 특성은 전자 시장에서 다수의 새로운 영역을 열게 합니다.
VSD™물질은 절연체로 기능을 하는 동안은, 정상 전류 경로는 작용을 하지 않습니다. ESD 발생중 (예, 클램프 전압) 급격한 전압상승이 VSD™ 물질을 자극할때에는 (VSD™ 물질 보호성능이 가동하고 있을 당시) 다량의 전류흐름을 흐르게 하는 능력이 가동 됩니다.
VSD™물질의 중요한 특징은 거의 순간적으로 고전압의 ESD 발생을 클램프하는 능력입니다. 이 애니메이션은 ESD 과도 펄스에 대한 VSD™ 물질의 상응반응을 보여드리고 있습니다.
VSD™물질은 어떻게 작동합니까?
VSD™물질은 접지층에 근접하고 접촉하게끔 장치하였습니다. ESD 발생시 전압과 전류는 거의 순간적으로 오릅니다. 만약 회로가 VSD™층에 정상적으로 액세스하면 디바이스의 어느곳에 고전압 펄스가 발생했다고 해도 VSD™ 물질은 접압을 클램프하고 과잉 전류를 나노초 이하에 분로(션트)합니다. 따라서, 회로기판위에 있는 모든 IC들이 과도전압 스파이크로부터 손상을 받는일이없이 보호됩니다. 고전압의 정전기가 제품의 어느곳이로든 흘러들어가도, 아래의 동영상이 보여주는것 처럼 작동중이거나 비작동중인 부품으로 부터 과도 전류를 분리하는 경로를 만들어 시스템 레벨로 보호합니다.
저희회사의 애플리케이션 엔지니어와 고객(OEM/IDM)은 디자인, 사용처, 수명 등을 포함한 제품요건을 평가할뿐만 아니라 고전압에 대한 기존의 혹은 예상되는 취약점에 대해서도 공동 평가하고 있습니다. 온칩 서지 보호도 역시 시스템 레벨의 아키텍쳐나 재료선정 및 구성과 함께 고려하여 평가하고 있습니다. 그런 후 충분한 보호 버퍼를 제공하는 클램프 전압을 결정합니다.
클램프전압이 결정되면 2가지의 방법으로 제품 내장이 이루어 집니다.
a.
기판이나 섭스트레이트 내에 VSD™물질을 물리적으로 내장. 그리고,
b.
VSD™층에 근접접속을 할 수 있는 Traces (배선)나 Via (통로) 의 배치입니다.
Plated-through-hole (PTH)에 근접 연결된 모든 회로나 부품 그리고 VSD™ 층에 접촉하고 있는 막힌구멍은 (Blind Via) 이제 시스템 디자인에 설계된 한계 전압까지(threshold voltage) 보호를 받게 됩니다. VSD™ 물질사용의 설계에 대한 세부사항은 설계와 애플리케이션 에지니어의 팀에게 문의해주세요. 문의는 sales@shockingtech.com로 연락해 주십시오.
