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アプリケーション：概要
     
  Voltage Switchable Dielectric™ 材料とインテグレーション  
  Voltage Switchable Dielectric™（VSD™）材料のひとつには、ポリマー・ナノコンポジットがあります。ポリマー・ナノコンポジットは、通常の回路動作では絶縁体（誘電体）の役目を果たしますが、設定された閾値電圧以上の電圧がかかると導電し、また電圧が下がればVSD™ 材料は元の絶縁体に戻ります。  
     
  この独自の技術を初めて応用したのが静電気放電（ESD）からの電子機器保護です。特化分野は以下の2つになります。  
     
 
  プリント基板（PCB）にVSD™ 材料を内蔵させる基板レベルの保護
 
  サブストレートにVSD™ 材料を内蔵させるパッケージレベルの保護
 
 
ESD保護は、高信頼性の軍事製品や工業製品、そして家電製品まで、あらゆる電子機器に必要とされる機能です。ESD保護における最大の市場は家電製品分野であり、ユーザやエンドユーザによりESD発生が繰り返されることでフィールド故障の危険性がさらに高まっています。  
 
     
  基板の保護か、パッケージの保護か  
  深刻化している問題にたいして、全ての回路配線でESD発生からの内蔵・全域保護が可能という、すばらしいソリューションを提案します。基板レベルでのインテグレーションとは、半導体分野全体のVSD™ 材料利用において大きな影響をもたらし、また、製品化までの時間が最短化されることを意味しています。

設計者は、基板内で保護される配線量増加にたいしてだけでなく、高価な（かつ集中した実装面積）ディスクリートESD保護回路を使用せずに配線保護レベルをも高めるため、努力をしています。当社のVSD™ 材料はプリント基板（PCB）スタックアップに直接内蔵するため、PCB全体における総合的な保護が可能になります。また、このユニークな材料特性によって、保護機能と超最速な反応時間の複合レベルは、現在入手可能なその他の製品と比べてもはるかに優れています。

パッケージ内保護については、複雑なマイクロプロセッサやASIC、GPU（高レベルでのオンチップESD保護が標準な）から低キャパシタンスが通常必要とされるRF/MWデバイスまで、幅広いアプリケーションで注目されています。VSD™ 材料をサブストレート内に内蔵することによって、高性能デバイスをさらに保護することができ、また、オンチップ保護が不適切な高速・高周波デバイスには、それを補うために低キャパシタンスのオプションを提供することができます。複雑な高入出力デバイスについては、半導体の電子回路を除去することでシグナルインテグリティ全体の反応を向上させるため、オンチップのESD回路とオフチップのVSD™ 保護、双方の評価・判断をすることに重点を置いています。

補助基板・パッケージの混合保護については、VSD™ 材料がエレクトロニクス市場に進出するなかで評価していく予定です。
  
     
 
 
基板内保護
パッケージ内保護
接触放電 高電圧の過渡電流から100%保護。距離があるほどインダクタンス保護を促進。高電圧レベル。 組立工程の初期段階でチップを保護。低いスイッチング電圧が実現可能。
気中放電 高電圧の過渡電流から100%保護。距離があるほどインダクタンス保護を促進。高電圧レベル。 組立工程の初期段階でチップを保護。低いスイッチング電圧が実現可能。
CBM/CDM ポリマーコンポジットは、基板内のビルドアップだけでなくESD発生回数や重症度も軽減。 ポリマーコンポジットは、サブストレートのビルドアップだけでなくESD発生回数や重症度も軽減。よって、問題のパッケージを保護。
コスト 大量生産型の低レベルPCB工程。部品削減しながらも100%保護。 高コストなサブストレートのパターニング工程。周辺リード（リードフレーム）製品は実装困難。
導入率/ 製品化までの時間 製品化までの時間短縮。適格なPCB基板サプライヤーに限定。セカンドソースのデバイスにも活用可能。OEMの必要条件に見合うもののみ。 製品化までに時間必要。多数の半導体サプライヤーやパッケージタイプ。サプライヤーは基板レベルのVSD™ 材料除去に参加義務あり。IDMとOEM条件に見合うこと。
スペース ルーティング作業の節約、部品数の削減。 ルーティング作業の節約、部品数の削減。
テスト システムレベル システムレベル/デバイスレベル
 
     
 
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